SI7540DP-T1-GE3
| 工場モデル | SI7540DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 株式 | 6647 pcs |
| データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023SIL-0392016 16/Dec/2016Si7540DP |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 1.4W |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.6A, 5.7A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | SI7540 |
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