SI7462DP-T1-E3
| 工場モデル | SI7462DP-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8 |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| 株式 | 5062 pcs |
| データシート | SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014SI7462DP |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 4.1A, 10V |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A (Ta) |
| 基本製品番号 | SI7462 |
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