SI7456DP-T1-E3
| 工場モデル | SI7456DP-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| 株式 | 90321 pcs |
| データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.814 | $0.731 | $0.588 | $0.483 | $0.4 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 9.3A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Ta) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Ta) |
| 基本製品番号 | SI7456 |
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