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SI4562DY-T1-GE3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

SI4562DY-T1-GE3

工場モデル SI4562DY-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 4182 pcs
データシート SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014SI4562DY
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4182のVishay Siliconix SI4562DY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.6V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 50nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） -
コンフィギュレーション N and P-Channel
基本製品番号 SI4562

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データシート

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