SI4559ADY-T1-E3
工場モデル | SI4559ADY-T1-E3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 132221 pcs |
データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.61 | $0.547 | $0.426 | $0.352 | $0.278 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 58mOhm @ 4.3A, 10V |
電力 - 最大 | 3.1W, 3.4W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 665pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.3A, 3.9A |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | SI4559 |
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