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SI4488DY-T1-GE3

工場モデル SI4488DY-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
パッケージ 8-SOIC
株式 92625 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.831 $0.746 $0.6 $0.493 $0.408
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。92625のVishay Siliconix SI4488DY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA (Min)
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 50mOhm @ 5A, 10V
電力消費（最大） 1.56W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 36 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.5A (Ta)
基本製品番号 SI4488

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データシート

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