Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI4483EDY-T1-E3
SI4483EDY-T1-E3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SI4483EDY-T1-E3

工場モデル SI4483EDY-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
パッケージ 8-SOIC
株式 3969 pcs
データシート SIL-0632014 16/Apr/2014SI4483EDY
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3969のVishay Siliconix SI4483EDY-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.5mOhm @ 14A, 10V
電力消費（最大） 1.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta)
基本製品番号 SI4483

おすすめ商品

SI4483EDY-T1-E3 データテーブルPDF

データシート

SI4483EDY-T1-E3に関連した語彙

SI4483EDY-T1-E3関連コンポーネント