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SI2331DS-T1-GE3

工場モデル SI2331DS-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 6045 pcs
データシート Material ComplianceSI2331DS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6045のVishay Siliconix SI2331DS-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 900mV @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
電力消費（最大） 710mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 780 pF @ 6 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 14 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.2A (Ta)
基本製品番号 SI2331

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データシート

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