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SI2324DS-T1-BE3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

SI2324DS-T1-BE3

工場モデル SI2324DS-T1-BE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 421867 pcs
データシート Material ComplianceSi2324DSMult Devs Manufacturing Capacity Expansion 13/Mar/
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.245 $0.21 $0.157 $0.123 $0.095
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。421867のVishay Siliconix SI2324DS-T1-BE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.8V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 234mOhm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大） 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 190 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 10.4 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
基本製品番号 SI2324

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データシート

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