Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > SI1029X-T1-E3
SI1029X-T1-E3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SI1029X-T1-E3

工場モデル SI1029X-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
パッケージ SC-89 (SOT-563F)
株式 5299 pcs
データシート Material ComplianceSi1029X
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5299のVishay Siliconix SI1029X-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-89 (SOT-563F)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.4Ohm @ 500mA, 10V
電力 - 最大 250mW
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 30pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 305mA, 190mA
コンフィギュレーション N and P-Channel
基本製品番号 SI1029

おすすめ商品

SI1029X-T1-E3 データテーブルPDF

データシート

SI1029X-T1-E3に関連した語彙

SI1029X-T1-E3関連コンポーネント