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SI1025X-T1-GE3 Image
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SI1025X-T1-GE3

工場モデル SI1025X-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
パッケージ SC-89 (SOT-563F)
株式 609398 pcs
データシート Mult Dev Material Chgs 1/Jul/2021Material Compliance
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.184 $0.156 $0.117 $0.092 $0.071
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。609398のVishay Siliconix SI1025X-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-89 (SOT-563F)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4Ohm @ 500mA, 10V
電力 - 最大 250mW
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 23pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 1.7nC @ 15V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 190mA
コンフィギュレーション 2 P-Channel (Dual)
基本製品番号 SI1025

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データシート

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