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IRFDC20PBF Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

IRFDC20PBF

工場モデル IRFDC20PBF
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
パッケージ 4-HVMDIP
株式 108254 pcs
データシート IRFDC20Mult Dev 01/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.799 $0.718 $0.577 $0.474 $0.393 $0.366 $0.352 $0.343
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。108254のVishay Siliconix IRFDC20PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 4-HVMDIP
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.4Ohm @ 190mA, 10V
電力消費（最大） 1W (Ta)
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 350 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 18 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 320mA (Ta)
基本製品番号 IRFDC20

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データシート

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