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IRFD9110

工場モデル IRFD9110
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
パッケージ 4-HVMDIP
株式 5618 pcs
データシート SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015IRFD9110
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5618のVishay Siliconix IRFD9110の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 4-HVMDIP
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.2Ohm @ 420mA, 10V
電力消費(最大) 1.3W (Ta)
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 200 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 8.7 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 700mA (Ta)
基本製品番号 IRFD9110

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IRFD9110 データテーブルPDF

データシート