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Vishay Siliconix

IRF610LPBF

工場モデル IRF610LPBF
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
パッケージ I2PAK
株式 119966 pcs
データシート IRF610S, SiHF610SMult Devices 18/Jul/2017
提案された価格 (米ドルでの測定)
1000
$0.31
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。119966のVishay Siliconix IRF610LPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.5Ohm @ 2A, 10V
電力消費(最大) 3W (Ta), 36W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 140 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 8.2 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.3A (Tc)
基本製品番号 IRF610

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IRF610LPBF データテーブルPDF

データシート