IRF5851TR
| 工場モデル | IRF5851TR |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP |
| パッケージ | 6-TSOP |
| 株式 | 4673 pcs |
| データシート | IRF5851HiRel EOL 28/Jun/2015IR Part Numbering SystemGen 8 Rev2 08/Jul/2011 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.25V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 960mW |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A, 2.2A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | IRF58 |
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