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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-8EWS12STR-M3

工場モデル VS-8EWS12STR-M3
メーカー Vishay General Semiconductor - Diodes Division
詳細な説明 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
パッケージ D-PAK (TO-252AA)
株式 57859 pcs
データシート DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015Multiple Devices Improvements 12/Sep/2016LeadFrame/Mold Compound Chgs 12/Sep/2016VS-8EWS(08,12)S-M3
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$1.077 $0.969 $0.779 $0.64 $0.569
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。57859のVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12STR-M3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.1 V @ 8 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1200 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ D-PAK (TO-252AA)
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 50 µA @ 1200 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 8A
Vrと、F @キャパシタンス -
基本製品番号 8EWS12

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