VS-8EWS08S-M3
工場モデル | VS-8EWS08S-M3 |
---|---|
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK |
パッケージ | D-PAK (TO-252AA) |
株式 | 53285 pcs |
データシート | DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015Multiple Devices Improvements 12/Sep/2016LeadFrame/Mold Compound Chgs 12/Sep/2016VS-8EWS(08,12)S-M3 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.221 | $1.098 | $0.883 | $0.725 | $0.645 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。53285のVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS08S-M3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 8 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 800 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252AA) |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 µA @ 800 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 8A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | 8EWS08 |
おすすめ商品
-
VS-8EWH06FNTRRHM3
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWL06FN-M3
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWL06FNTRL-M3
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS08STRRPBF
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS08SPBF
DIODE GEN PURP 800V 8A TO252Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS10S-M3
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWH06FNTRL-M3
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS10SPBF
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWH06FNTRLHM3
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS10STR-M3
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS08STRLPBF
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWL06FNTR-M3
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWL06FNTRR-M3
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS08STRPBF
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWH06FNTRR-M3
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWH06FNTRHM3
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS08STRR-M3
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS08STRL-M3
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWS08STR-M3
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VS-8EWH06FNTR-M3
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVishay General Semiconductor - Diodes Division