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Transphorm

TP65H150LSG

工場モデル TP65H150LSG
メーカー Transphorm
詳細な説明 GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
パッケージ 3-PQFN (8x8)
株式 6210 pcs
データシート Mult Dev 03/Feb/2020Mult Dev EOL 16/Jan/2020TP65H150LSG
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTransphormシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6210のTransphorm TP65H150LSGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.8V @ 500µA
Vgs(最大) ±20V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ 3-PQFN (8x8)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 180mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大) 69W (Tc)
パッケージ/ケース 3-PowerDFN
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 576 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 7.1 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 15A (Tc)

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データシート