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Transphorm

TP65H035G4WSQA

工場モデル TP65H035G4WSQA
メーカー Transphorm
詳細な説明 650 V 46.5 GAN FET
パッケージ TO-247-3
株式 8128 pcs
データシート TP65H035G4WSQA
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500
$8.08 $7.425 $6.271 $5.579
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTransphormシリーズの電子コンポーネントを専門としています。8128のTransphorm TP65H035G4WSQAの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.8V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 41mOhm @ 30A, 10V
電力消費(最大) 187W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1500 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 22 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 47.2A (Tc)

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TP65H035G4WSQA データテーブルPDF

データシート