TP65H035G4WSQA
工場モデル | TP65H035G4WSQA |
---|---|
メーカー | Transphorm |
詳細な説明 | 650 V 46.5 GAN FET |
パッケージ | TO-247-3 |
株式 | 8128 pcs |
データシート | TP65H035G4WSQA |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$8.08 | $7.425 | $6.271 | $5.579 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTransphormシリーズの電子コンポーネントを専門としています。8128のTransphorm TP65H035G4WSQAの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.8V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 41mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 187W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1500 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 47.2A (Tc) |
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