XPH6R30ANB,L1XHQ
工場モデル | XPH6R30ANB,L1XHQ |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP |
パッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
株式 | 116062 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.705 | $0.634 | $0.51 | $0.419 | $0.347 | $0.323 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。116062のToshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB,L1XHQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 500µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
シリーズ | U-MOSVIII-H |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
電力消費(最大) | 960mW (Ta), 132W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 175°C |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3240 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 52 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 45A (Ta) |
基本製品番号 | XPH6R30 |
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