XPH2R106NC,L1XHQ
| 工場モデル | XPH2R106NC,L1XHQ |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP |
| パッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
| 株式 | 98731 pcs |
| データシート | Term of Use Statement |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.764 | $0.686 | $0.551 | $0.453 | $0.375 | $0.35 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.1mOhm @ 55A, 10V |
| 電力消費（最大） | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6900 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Ta) |
| 基本製品番号 | XPH2R106 |
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