TW030N120C,S1F
工場モデル | TW030N120C,S1F |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO |
パッケージ | TO-247 |
株式 | 4270 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$14.031 | $12.941 | $11.051 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4270のToshiba Semiconductor and Storage TW030N120C,S1Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 13mA |
Vgs(最大) | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40mOhm @ 30A, 18V |
電力消費(最大) | 249W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2925 pF @ 800 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 82 nC @ 18 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
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