TW015N120C,S1F
| 工場モデル | TW015N120C,S1F |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO |
| パッケージ | TO-247 |
| 株式 | 1860 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $27.831 | $26.439 | $23.83 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1860のToshiba Semiconductor and Storage TW015N120C,S1Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 11.7mA |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 50A, 18V |
| 電力消費（最大） | 431W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6000 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 158 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
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