TRS8E65C,S1Q
| 工場モデル | TRS8E65C,S1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L |
| パッケージ | TO-220-2L |
| 株式 | 6366 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 18/Oct/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6366のToshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Qの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 8 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2L |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 90 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 44pF @ 650V, 1MHz |
| 基本製品番号 | TRS8E65 |
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