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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

工場モデル TRS6E65C,S1AQ
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
パッケージ TO-220-2L
株式 4081 pcs
データシート Mult Dev EOL 18/Oct/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4081のToshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C,S1AQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.7 V @ 6 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-2L
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-220-2
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション 175°C (Max)
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 90 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 6A
Vrと、F @キャパシタンス 35pF @ 650V, 1MHz
基本製品番号 TRS6E65

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