TPC8A02-H(TE12L,Q)
| 工場モデル | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP |
| パッケージ | 8-SOP (5.5x6.0) |
| 株式 | 6181 pcs |
| データシート | TPC8A02-HMosfets Prod Guide |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6181のToshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H(TE12L,Q)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP (5.5x6.0) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.6mOhm @ 8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1970 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta) |
| 基本製品番号 | TPC8A02 |
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