TPC8221-H,LQ(S
工場モデル | TPC8221-H,LQ(S |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP |
パッケージ | 8-SOP |
株式 | 6200 pcs |
データシート | Mosfets Prod GuideTPC8221-HEOL 08/Nov/2013PCN_Packing-Specification_BW 06/Aug/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 100µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 25mOhm @ 3A, 10V |
電力 - 最大 | 450mW |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 830pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | TPC8221 |
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