Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TK7S10N1Z,LQ
TK7S10N1Z,LQ Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

TK7S10N1Z,LQ

工場モデル TK7S10N1Z,LQ
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
パッケージ DPAK+
株式 153304 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.576 $0.515 $0.402 $0.332 $0.262
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。153304のToshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z,LQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 100µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK+
シリーズ U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 48mOhm @ 3.5A, 10V
電力消費(最大) 50W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 470 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 7.1 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7A (Ta)
基本製品番号 TK7S10

おすすめ商品

TK7S10N1Z,LQ データテーブルPDF