Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A55D(STA4,Q,M)

工場モデル TK7A55D(STA4,Q,M)
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
パッケージ TO-220SIS
株式 189399 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.608 $0.543 $0.423 $0.35 $0.276 $0.258 $0.245 $0.236
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。189399のToshiba Semiconductor and Storage TK7A55D(STA4,Q,M)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.4V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
シリーズ π-MOSVII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.25Ohm @ 3.5A, 10V
電力消費(最大) 35W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 700 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 550 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7A (Ta)
基本製品番号 TK7A55

おすすめ商品

TK7A55D(STA4,Q,M) データテーブルPDF