Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TK5R1A08QM,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5R1A08QM,S4X

工場モデル TK5R1A08QM,S4X
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
パッケージ TO-220SIS
株式 140859 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.65 $0.582 $0.454 $0.375 $0.296 $0.276 $0.263 $0.253
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。140859のToshiba Semiconductor and Storage TK5R1A08QM,S4Xの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 700µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
シリーズ U-MOSX-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5.1mOhm @ 35A, 10V
電力消費(最大) 45W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 175°C
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3980 pF @ 40 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 54 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A (Tc)

おすすめ商品

TK5R1A08QM,S4X データテーブルPDF