TK58E06N1,S1X
工場モデル | TK58E06N1,S1X |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 58A TO220 |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 208635 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.533 | $0.477 | $0.372 | $0.307 | $0.243 | $0.226 | $0.215 | $0.207 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 500µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | U-MOSVIII-H |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.4mOhm @ 29A, 10V |
電力消費(最大) | 110W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3400 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 46 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 58A (Ta) |
基本製品番号 | TK58E06 |
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