TK30E06N1,S1X
工場モデル | TK30E06N1,S1X |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 43A TO220 |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 370195 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.33 | $0.296 | $0.231 | $0.19 | $0.15 | $0.14 | $0.133 | $0.128 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。370195のToshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1,S1Xの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 200µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | U-MOSVIII-H |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 53W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1050 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 43A (Ta) |
基本製品番号 | TK30E06 |
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