TJ8S06M3L,LXHQ
| 工場モデル | TJ8S06M3L,LXHQ |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK |
| パッケージ | DPAK+ |
| 株式 | 277614 pcs |
| データシート | Term of Use Statement |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.383 | $0.339 | $0.259 | $0.205 | $0.164 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +10V, -20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK+ |
| シリーズ | U-MOSVI |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 104mOhm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 27W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 175°C |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 890 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 基本製品番号 | TJ8S06 |
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