TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
工場モデル | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK |
パッケージ | DPAK+ |
株式 | 199364 pcs |
データシート | Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.475 | $0.424 | $0.331 | $0.273 | $0.216 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 1mA |
Vgs(最大) | +10V, -20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK+ |
シリーズ | U-MOSVI |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 104mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 27W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 890 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Ta) |
基本製品番号 | TJ8S06 |
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