Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > SSM6N16FUTE85LF
SSM6N16FUTE85LF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SSM6N16FUTE85LF

工場モデル SSM6N16FUTE85LF
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
パッケージ US6
株式 1139330 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.183 $0.135 $0.077 $0.051 $0.039
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1139330のToshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.1V @ 100µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ US6
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3Ohm @ 10mA, 4V
電力 - 最大 200mW
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9.3pF @ 3V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs -
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100mA
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 SSM6N16

おすすめ商品

SSM6N16FUTE85LF データテーブルPDF