SSM6L09FUTE85LF
工場モデル | SSM6L09FUTE85LF |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 |
パッケージ | US6 |
株式 | 904127 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.2 | $0.151 | $0.094 | $0.064 | $0.049 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.8V @ 100µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | US6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 700mOhm @ 200MA, 10V |
電力 - 最大 | 300mW |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 20pF @ 5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 400mA, 200mA |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | SSM6L09 |
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