GT30J65MRB,S1E
| 工場モデル | GT30J65MRB,S1E |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO- |
| パッケージ | TO-3P(N) |
| 株式 | 89858 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.9 | $0.809 | $0.65 | $0.534 | $0.443 | $0.412 | $0.397 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。89858のToshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB,S1Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.8V @ 15V, 30A |
| 試験条件 | 400V, 15A, 56Ohm, 15V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 75ns/400ns |
| エネルギーの切り替え | 1.4mJ (on), 220µJ (off) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 200 ns |
| 電力 - 最大 | 200 W |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力タイプ | Standard |
| IGBTタイプ | - |
| ゲートチャージ | 70 nC |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 60 A |
| 基本製品番号 | GT30J65 |
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