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GT30J121(Q)

工場モデル GT30J121(Q)
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 IGBT 600V 30A 170W TO3PN
パッケージ TO-3P(N)
株式 61237 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.189 $1.068 $0.875 $0.745 $0.628 $0.597 $0.579
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。61237のToshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 600 V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2.45V @ 15V, 30A
試験条件 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 90ns/300ns
エネルギーの切り替え 1mJ (on), 800µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P(N)
シリーズ -
電力 - 最大 170 W
製品属性 属性値
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
パッケージ Tube
装着タイプ Through Hole
入力タイプ Standard
IGBTタイプ -
電流 - コレクタパルス(ICM) 60 A
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 30 A
基本製品番号 GT30J121

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