GP2T080A120U
| 工場モデル | GP2T080A120U |
|---|---|
| メーカー | SemiQ |
| 詳細な説明 | SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 株式 | 12799 pcs |
| データシート | GP2T080A120UGP2T080 01-Aug-22 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $4.678 | $4.226 | $3.499 | $3.047 | $2.654 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSemiQシリーズの電子コンポーネントを専門としています。12799のSemiQ GP2T080A120Uの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 10mA |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 20A, 20V |
| 電力消費（最大） | 188W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1377 pF @ 1000 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 58 nC @ 20 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| 基本製品番号 | GP2T080A |
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