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GP2M011A090NG Image
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GP2M011A090NG

工場モデル GP2M011A090NG
メーカー Global Power Technologies Group
詳細な説明 MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
パッケージ TO-3PN
株式 6301 pcs
データシート GP2M011A090NG
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technologies Groupシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6301のGlobal Power Technologies Group GP2M011A090NGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3PN
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 900 mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費（最大） 416W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
他の名前 1560-1209-1
1560-1209-1-ND
1560-1209-5
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3240pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 84nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 900V
詳細な説明 N-Channel 900V 11A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Tc)

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