GP2D003A065A
工場モデル | GP2D003A065A |
---|---|
メーカー | SemiQ |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2 |
パッケージ | TO-220-2 |
株式 | 6176 pcs |
データシート | GP2D003A065A |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSemiQシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6176のSemiQ GP2D003A065Aの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.65 V @ 3 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | Amp+™ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 30 µA @ 650 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | 158pF @ 1V, 1MHz |
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