Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > GP1M020A060M
GP1M020A060M Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

GP1M020A060M

工場モデル GP1M020A060M
メーカー Global Power Technologies Group
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
パッケージ TO-3P
株式 6484 pcs
データシート GP1M020A060M
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technologies Groupシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6484のGlobal Power Technologies Group GP1M020A060Mの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 330 mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 347W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2097pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 76nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3P
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Tc)

おすすめ商品

GP1M020A060M データテーブルPDF

データシート

GP1M020A060Mに関連した語彙

GP1M020A060M関連コンポーネント