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GP1M009A060H Image
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GP1M009A060H

工場モデル GP1M009A060H
メーカー Global Power Technologies Group
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 9A TO220
パッケージ TO-220
株式 5733 pcs
データシート GP1M009A060(F)H
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technologies Groupシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5733のGlobal Power Technologies Group GP1M009A060Hの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1 Ohm @ 4.5A, 10V
電力消費（最大） 158W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 1560-1172-1
1560-1172-1-ND
1560-1172-5
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1440pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 27nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 9A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Tc)

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