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GP1M003A080H Image
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GP1M003A080H

工場モデル GP1M003A080H
メーカー Global Power Technologies Group
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 3A TO220
パッケージ TO-220
株式 3953 pcs
データシート GP1M003A080H(H), 80F(H)
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technologies Groupシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3953のGlobal Power Technologies Group GP1M003A080Hの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大） 94W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-220-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 696pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 19nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800V
詳細な説明 N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3A (Tc)

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