G4S12040BM
| 工場モデル | G4S12040BM |
|---|---|
| メーカー | Global Power Technology-GPT |
| 詳細な説明 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P |
| パッケージ | TO-247AB |
| 株式 | 1763 pcs |
| データシート | G4S12040BM |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 |
|---|---|
| $20.835 | $19.571 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technology-GPTシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1763のGlobal Power Technology-GPT G4S12040BMの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.6 V @ 20 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AB |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 30 µA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 64.5A (DC) |
おすすめ商品
-
G4S06510PT
DIODE SIC 650V 31.2A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06520BT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PIGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515HT
DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220FGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020PM
DIODE SIC 1.2KV 64.5A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06540PT
DIODE SIC 650V 81.8A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515CT
DIODE SIL CARB 650V 35.8A TO252Global Power Technology-GPT -
G4S06510QT
DIODE SIL CARB 650V 44.9A 4DFNGlobal Power Technology-GPT -
G4S06530BT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 3-PIGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515DT
DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263Global Power Technology-GPT -
G4S06515PT
DIODE SIL CARB 650V 39A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020BM
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-PGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515AT
DIODE SIL CARB 650V 36A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S12010PM
DIODE SIC 1.2KV 33.2A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06510JT
DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISOGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020D
DIODE SIL CARB 1.2KV 75A TO263Global Power Technology-GPT -
G4S06515QT
DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFNGlobal Power Technology-GPT -
G4S6508Z
DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFNGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020A
DIODE SIL CARB 1.2KV 73A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06516BT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PIGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020P
DIODE SIC 1.2KV 64.5A TO247ACGlobal Power Technology-GPT