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Global Power Technology-GPT

G3S06503D

工場モデル G3S06503D
メーカー Global Power Technology-GPT
詳細な説明 DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO263
パッケージ TO-263
株式 45675 pcs
データシート G3S06503D
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10
$0.976 $0.878
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technology-GPTシリーズの電子コンポーネントを専門としています。45675のGlobal Power Technology-GPT G3S06503Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.7 V @ 3 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Cut Tape (CT)
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 50 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 11.5A
Vrと、F @キャパシタンス 181pF @ 0V, 1MHz

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