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STW26NM60ND

工場モデル STW26NM60ND
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 21A TO247
パッケージ TO-247-3
株式 5342 pcs
データシート STx26NM60NDIPD/15/9345 04/Aug/2015IPG/14/8475 16/May/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5342のSTMicroelectronics STW26NM60NDの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
シリーズ FDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 175mOhm @ 10.5A, 10V
電力消費（最大） 190W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1817 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 54.6 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 21A (Tc)
基本製品番号 STW26N

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データシート

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