Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STW25N60M2-EP
STW25N60M2-EP Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STW25N60M2-EP

工場モデル STW25N60M2-EP
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
パッケージ TO-247-3
株式 74631 pcs
データシート Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019Gate threshold voltage 10/Apr/2018
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.302 $1.17 $0.959 $0.816 $0.688 $0.654 $0.629
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。74631のSTMicroelectronics STW25N60M2-EPの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.75V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
シリーズ MDmesh™ M2-EP
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 188mOhm @ 9A, 10V
電力消費(最大) 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1090 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 29 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Tc)
基本製品番号 STW25

おすすめ商品

STW25N60M2-EP データテーブルPDF

データシート