STQ1NK80ZR-AP
| 工場モデル | STQ1NK80ZR-AP |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 |
| パッケージ | TO-92-3 |
| 株式 | 271746 pcs |
| データシート | Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New molding compound 11/Jul/2019STx1NK80ZR(R-AP,-1) |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.32 | $0.287 | $0.224 | $0.185 | $0.146 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。271746のSTMicroelectronics STQ1NK80ZR-APの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| シリーズ | SuperMESH™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 160 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 300mA (Tc) |
| 基本製品番号 | STQ1NK80 |
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