STQ1HNK60R-AP
| 工場モデル | STQ1HNK60R-AP |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 |
| パッケージ | TO-92-3 |
| 株式 | 396308 pcs |
| データシート | Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New molding compound 11/Jul/2019STx1(H)NK60(-1,R) |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.248 | $0.219 | $0.168 | $0.133 | $0.106 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| シリーズ | SuperMESH™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 156 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 400mA (Tc) |
| 基本製品番号 | STQ1HNK60 |
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